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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。52715+￥20.615450+￥19.7344200+￥19.2410500+￥19.11771000+￥18.99442500+￥18.85345000+￥18.76537500+￥18.6772 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60FWG 单晶体管, IGBT, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 引脚88275+￥5.764525+￥5.337550+￥5.0386100+￥4.9105500+￥4.82512500+￥4.71845000+￥4.675710000+￥4.6116 -
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品类: IGBT晶体管描述: NGTD21T65F2: IGBT 650V 45A FS2 裸片935310+￥7.0320100+￥6.6804500+￥6.44601000+￥6.43432000+￥6.38745000+￥6.32887500+￥6.281910000+￥6.2585 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTG30N60FWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 引脚469310+￥6.9480100+￥6.6006500+￥6.36901000+￥6.35742000+￥6.31115000+￥6.25327500+￥6.206910000+￥6.1837 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGP15N41CLG 单晶体管, IGBT, 15 A, 440 V, 107 W, 440 V, TO-220, 3 引脚96311+￥79.200510+￥75.7570100+￥75.1372250+￥74.6551500+￥73.89751000+￥73.55322500+￥73.07115000+￥72.6579 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB20N120IHLWG 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.8 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚455510+￥9.7560100+￥9.2682500+￥8.94301000+￥8.92672000+￥8.86175000+￥8.78047500+￥8.715410000+￥8.6828 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 500V 18A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R214510+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S1WG 单晶体管, IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 引脚30835+￥13.501850+￥12.9248200+￥12.6017500+￥12.52091000+￥12.44012500+￥12.34785000+￥12.29017500+￥12.2324 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTG30N60FLWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚73485+￥23.528750+￥22.5232200+￥21.9601500+￥21.81941000+￥21.67862500+￥21.51775000+￥21.41727500+￥21.3166 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 650V/40A CC78 LOW VCESAT23115+￥5.575525+￥5.162550+￥4.8734100+￥4.7495500+￥4.66692500+￥4.56375000+￥4.522410000+￥4.4604 -
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品类: IGBT晶体管描述: 沟槽型场截止 1.2kV178010+￥6.3600100+￥6.0420500+￥5.83001000+￥5.81942000+￥5.77705000+￥5.72407500+￥5.681610000+￥5.6604 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 1200V/15A VERY FAST IGBT40805+￥5.157025+￥4.775050+￥4.5076100+￥4.3930500+￥4.31662500+￥4.22115000+￥4.182910000+￥4.1256 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 15安培， 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts60161+￥69.080510+￥66.0770100+￥65.5364250+￥65.1159500+￥64.45511000+￥64.15482500+￥63.73435000+￥63.3739 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 595000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube41111+￥40.003810+￥37.7085100+￥36.0034250+￥35.7411500+￥35.47881000+￥35.18372500+￥34.92145000+￥34.7574 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 405000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube246310+￥11.9400100+￥11.3430500+￥10.94501000+￥10.92512000+￥10.84555000+￥10.74607500+￥10.666410000+￥10.6266 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。98915+￥14.870750+￥14.2352200+￥13.8793500+￥13.79041000+￥13.70142500+￥13.59975000+￥13.53627500+￥13.4726 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 385000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube93595+￥19.948550+￥19.0960200+￥18.6186500+￥18.49931000+￥18.37992500+￥18.24355000+￥18.15837500+￥18.0730 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。16885+￥18.848750+￥18.0432200+￥17.5921500+￥17.47941000+￥17.36662500+￥17.23775000+￥17.15727500+￥17.0766 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R80555+￥5.197525+￥4.812550+￥4.5430100+￥4.4275500+￥4.35052500+￥4.25435000+￥4.215810000+￥4.1580 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 20安培， 350伏特， N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK256610+￥8.1840100+￥7.7748500+￥7.50201000+￥7.48842000+￥7.43385000+￥7.36567500+￥7.311010000+￥7.2838 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGD18N40ACLBT4G 单晶体管, IGBT, 18 A, 1.8 V, 115 W, 400 V, TO-252, 3 引脚86375+￥6.115525+￥5.662550+￥5.3454100+￥5.2095500+￥5.11892500+￥5.00575000+￥4.960410000+￥4.8924 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT414510+￥9.4920100+￥9.0174500+￥8.70101000+￥8.68522000+￥8.62195000+￥8.54287500+￥8.479510000+￥8.4479 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT676010+￥7.2360100+￥6.8742500+￥6.63301000+￥6.62092000+￥6.57275000+￥6.51247500+￥6.464210000+￥6.4400 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT198910+￥7.9080100+￥7.5126500+￥7.24901000+￥7.23582000+￥7.18315000+￥7.11727500+￥7.064510000+￥7.0381 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT777210+￥9.4920100+￥9.0174500+￥8.70101000+￥8.68522000+￥8.62195000+￥8.54287500+￥8.479510000+￥8.4479 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3Pin(2+Tab) D2PAK Rail50865+￥4.603525+￥4.262550+￥4.0238100+￥3.9215500+￥3.85332500+￥3.76815000+￥3.734010000+￥3.6828 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R48825+￥4.603525+￥4.262550+￥4.0238100+￥3.9215500+￥3.85332500+￥3.76815000+￥3.734010000+￥3.6828 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 15安培， 410伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK231610+￥11.9880100+￥11.3886500+￥10.98901000+￥10.96902000+￥10.88915000+￥10.78927500+￥10.709310000+￥10.6693
